Memoria flash este o formă de tehnologie semi-pass și memorie reprogramabilă electrică. Același concept poate fi utilizat în circuitele electronice pentru a indica soluții complete din punct de vedere tehnologic. În viața de zi cu zi, acest concept este fixat pentru o clasă largă de dispozitive în stare solidă pentru stocarea informațiilor.
Necesar
Unitate flash USB, computer cu conexiune la internet
Instrucțiuni
Pasul 1
Principiul de funcționare al acestei tehnologii se bazează pe modificări și înregistrări în zone izolate de încărcare electrică într-o structură semiconductoare. Schimbarea unei astfel de încărcări, adică înregistrarea și ștergerea acesteia, are loc cu ajutorul unei aplicații situate între sursă și poarta potențialului său mai mare. Astfel, se creează o intensitate suficientă a câmpului electric între tranzistor și buzunar într-un câmp dielectric subțire. Astfel apare efectul tunel.
Pasul 2
Resursele de memorie se bazează pe schimbarea încărcării. Este uneori asociat cu efectul cumulativ al fenomenelor ireversibile din structura sa. Prin urmare, numărul de intrări este limitat pentru celula flash. Această cifră pentru MLC este de obicei de 10 mii de unități, iar pentru SLC - până la 100 de mii de unități.
Pasul 3
Timpul de păstrare a datelor este determinat de cât timp sunt stocate taxele, ceea ce este de obicei declarat de majoritatea producătorilor de produse de uz casnic. Nu depășește zece până la douăzeci de ani. Deși producătorii oferă o garanție doar în primii cinci ani. Cu toate acestea, trebuie remarcat faptul că dispozitivele MLC au perioade mai scurte de păstrare a datelor decât dispozitivele SLC.
Pasul 4
Structura ierarhică a memoriei flash se explică prin următorul fapt. Procese precum scrierea și ștergerea, precum și citirea informațiilor de pe o unitate flash, apar în blocuri mari de diferite dimensiuni. De exemplu, un bloc de ștergere este mai mare decât un bloc de scriere, care la rândul său este mai mic decât un bloc de citire. Aceasta este o caracteristică distinctivă a memoriei flash de cea clasică. Drept urmare, toate microcircuitele sale au o structură ierarhică pronunțată. Memoria este astfel împărțită în blocuri, iar cele în sectoare și pagini.
Pasul 5
Viteza de ștergere, citire și scriere este diferită. De exemplu, viteza de ștergere poate varia de la una la sute de milisecunde. Depinde de mărimea informațiilor șterse. Viteza de înregistrare este de zeci sau sute de microsecunde. Viteza de citire este de obicei de zeci de nanosecunde.
Pasul 6
Caracteristicile utilizării memoriei flash sunt dictate de caracteristicile sale. Este permis să producă și să vândă microcircuite cu orice număr de celule de memorie defecte. Pentru a reduce acest procent, fiecare pagină este livrată cu mici blocuri suplimentare.
Pasul 7
Punctul slab al memoriei flash este că numărul de cicluri de rescriere pe o pagină este limitat. Situația devine și mai gravă datorită faptului că sistemele de fișiere scriu adesea în aceeași locație de memorie.
